总投资超200亿!湖北武汉,首片下线!

长飞先进湖北武汉基地一期总投资80亿元,占地344亩,达产后将具备年产36万片外延、36万片6寸碳化硅晶圆、6100万个碳化硅功率模块的制造能力。

图片来源:长飞先进

图片来源:长飞先进

来自安徽长飞先进半导体股份有限公司(简称:长飞先进)的消息显示,5月28日,随着首片晶圆从生产车间成功下线,总投资超200亿元的长飞先进湖北武汉基地正式投产。

资料显示,长飞先进是一家专注于碳化硅(SiC)功率半导体产品研发及制造的企业,具备从外延生长、器件与模块设计、晶圆制造到模块封测的全产业链能力。

长飞先进武汉基地坐落于东湖高新区光谷科学岛,项目自2023年9月1日正式破土动工,目前已全线配备6/8英寸兼容设备,对标国际碳化硅器件大厂;同时构建了完善的工艺流程和完整的工艺平台,可提供全面的工艺开发与技术解决方案;并建成碳化硅行业第一家全自动化天车搬运工厂(Auto3),可实现生产资源的高效利用,最大化发挥制造效率。

据悉,长飞先进武汉基地聚焦第三代半导体功率器件研发与生产,其中一期总投资80亿元,占地344亩,达产后将具备年产36万片外延、36万片6寸碳化硅晶圆、6100万个碳化硅功率模块的制造能力,产品将主要用于新能源汽车、光伏、储能、充电桩、电力电网等领域。